參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ67T
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN 8 GHz wideband transistor
中文描述： L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-75, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/12頁(yè)
文件大?。?/td> 92K
代理商： BFQ67T
DATA SHEET
Product specification
Supersedes data of 1999 Nov 02
2000 Mar 06
DISCRETE SEMICONDUCTORS
BFQ67T
NPN 8 GHz wideband transistor
M3D173
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFQ68 NPN 4 GHz wideband transistor
BFQ741 NPN 7GHz wideband transistor
BFR101A TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.5MA I(DSS) | SOT-143
BFR15A TRANSISTOR | BJT | NPN | 30MA I(C) | TO-72
BFR17 TRANSISTOR | BJT | NPN | 60V V(BR)CEO | 50MA I(C) | TO-18
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ67T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-23
BFQ67W 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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BFQ67W,135 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 Single NPN 10V 50mA 300mW 60 8GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67W115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR RF NPN 10V 8GHZ
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