參數(shù)資料
型號： BFQ67
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流50mA,低噪聲小信號放大器應用的NPN平面型晶體管)
中文描述： 硅NPN平面射頻晶體管（集電極電流為50mA，低噪聲小信號放大器應用的npn型平面型晶體管）
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大小： 185K
代理商： BFQ67
BFQ67/BFQ67R/BFQ67W
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
2 (12)
Rev. 3, 20-Jan-99
Document Number 85022
Absolute Maximum Ratings
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Collector-base voltage
Collector-emitter voltage
Emitter-base voltage
Collector current
Total power dissipation
Junction temperature
Storage temperature range
Test Conditions
Symbol
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
j
T
stg
Value
20
10
2.5
50
200
150
Unit
V
V
V
mA
mW
C
C
T
amb
≤
60 C
–65 to +150
Maximum Thermal Resistance
T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Junction ambient
on glass fibre printed board (25 x 20 x 1.5) mm
3
plated with 35 m Cu
Test Conditions
Symbol
R
thJA
Value
450
Unit
K/W
相關PDF資料
PDF描述
BFQ67 MINILINK UK ;
BFQ67R Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ67W Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ81 Silicon NPN Planar RF Transistor(集電極電流30mA,射頻放大器應用的NPN平面型晶體管)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BFQ67,215 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 50MA 10V 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFQ67,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BFQ67 Series 10 V 300 mW 8 GHz Wideband NPN Transistor - SOT-23
BFQ67_08 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor
BFQ67215 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR NPN 10V 8GHZ
BFQ67F 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*