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參數(shù)資料
| 型號： | BFQ645 |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 40MA I(C) | MICRO-X |
| 中文描述： | 晶體管|晶體管|叩| 12V的五（巴西）總裁| 40MA一（c）|微X |
| 文件頁數(shù)： | 3/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 86K |
| 代理商： | BFQ645 |
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFQ65 | TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-37 |
| BFQ67T | NPN 8 GHz wideband transistor |
| BFQ68 | NPN 4 GHz wideband transistor |
| BFQ741 | NPN 7GHz wideband transistor |
| BFR101A | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | 1.5MA I(DSS) | SOT-143 |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFQ65 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 10V V(BR)CEO | 50MA I(C) | SOT-37 |
| BFQ67 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor |
| BFQ67,215 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 NPN 50MA 10V 8GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFQ67,215-CUT TAPE | 制造商:NXP 功能描述:BFQ67 Series 10 V 300 mW 8 GHz Wideband NPN Transistor - SOT-23 |
| BFQ67_08 | 制造商:VISHAY 制造商全稱:Vishay Siliconix 功能描述:Silicon NPN Planar RF Transistor |
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