參數(shù)資料
型號(hào)： BFQ136
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 功率晶體管
英文描述： NPN 4 GHz wideband transistor
中文描述： UHF BAND, Si, NPN, RF POWER TRANSISTOR
封裝： CERAMIC, SOT-122A, 4 PIN
文件頁數(shù)： 4/9頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BFQ136
September 1995
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 4 GHz wideband transistor
BFQ136
Fig.2 Intermodulation distortion MATV test circuit.
handbook, full pagewidth
MEA261
DUT
input
75
output
75
VCC
1 k
9 pF
VBB
1.5
μ
F
4.7
μ
F
4.7
μ
F
14 nH
1.8 pF
7.5 nH
20 pF
36 nH
36 nH
3 pF
3.3 pF
HF choke
1 nF
9 pF
6 nH
9 pF
9 pF
3 pF
14 nH
Fig.3
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 15 V; T
j
= 25
°
C.
handbook, halfpage
0
80
40
0
40
80
160
MBB361
120
IC
FE
h
Fig.4
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
E
= i
e
= 0; f = 1 MHz; T
j
= 25
°
C
handbook, halfpage
0
10
0
8
MEA263
4
Cc
(pF)
VCB(V)
20
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