參數(shù)資料
型號(hào)： BFG93X
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管)
中文描述： npn型6 GHz的寬帶晶體管（npn型第六代赫茲寬帶晶體管）
文件頁(yè)數(shù)： 2/16頁(yè)
文件大?。?/td> 133K
代理商： BFG93X
1998 Sep 23
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 6 GHz wideband transistors
BFG93A; BFG93A/X
FEATURES
High power gain
Low noise figure
Gold metallization ensures
excellent reliability.
APPLICATIONS
Wideband applications in the UHF
and microwave range.
DESCRIPTION
NPN transistor in a 4-pin, dual-emitter
SOT143B plastic package.
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG93A
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
BFG93A/X
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG93A
BFG93A/X
R8
V15
Fig.1 SOT143B.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
I
C
P
tot
C
re
f
T
G
UM
collector-base voltage
collector-emitter voltage
collector current (DC)
total power dissipation
feedback capacitance
transition frequency
maximum unilateral
power gain
open emitter
open base
4.5
0.6
6
16
15
12
35
300
V
V
mA
mW
pF
GHz
dB
T
s
≤
85
°
C
I
C
= i
c
= 0; V
CB
= 5 V; f = 1 MHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 5 V; f = 500 MHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
°
C;
f = 1 GHz
I
C
= 30 mA; V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
°
C;
f = 2 GHz
Γ
s
=
Γ
opt
; I
C
= 5 mA; V
CE
= 8 V;
T
amb
= 25
°
C; f = 1 GHz
10
dB
F
noise figure
1.7
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG93 NPN 6 GHz wideband transistors
BFP196T Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP196TR Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP196TW Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP619 Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG94 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 6 GHz wideband transistor
BFG94,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
BFG94T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 12V V(BR)CEO | 60MA I(C) | SOT-223
BFG97 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor
BFG97,115 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 NPN 15V 5.5GHZ RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel
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