參數(shù)資料
型號: BFG67X
廠商: NXP SEMICONDUCTORS
元件分類: 小信號晶體管
英文描述: NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管)
中文描述: L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR
文件頁數(shù): 8/16頁
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代理商: BFG67X
1998 Oct 02
8
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
BFG67/X
Noise Parameters
f
(MHz)
V
CE
(V)
I
C
(mA)
1000
8
5
F
min
(dB)
Gamma (opt)
R
n
/50
(mag)
(ang)
1.3
0.375
65.9
0.304
Fig.14 Noise circle figure.
Z
O
= 50
.
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+
j
j
MBB316
Fmin
2 dB
stability
circle
rgo
=1.3 dB
OPT
0.2
1
10
5
2
0.5
3 dB
4 dB
BFG67/X
Noise Parameters
Average Gain Parameters
f
(MHz)
V
CE
(V)
I
C
(mA)
2000
8
5
F
min
(dB)
Gamma (opt)
R
n
/50
(mag)
(ang)
2.2
0.391
136.5
0.184
G
MAX
(dB)
Gamma (max)
(mag)
(ang)
170
12
0.839
Fig.15 Noise circle figure.
Z
O
= 50
.
0.2
0.5
1
2
5
10
0.2
0.5
1
2
5
10
0
+ j
– j
MBB315
10
1
5
2
0.2
0.5
3 dB
4 dB
5 dB
OPT
Fmin
=
2.2 dB
Gmax
10 dB
9 dB
8 dB
=
12dB
11 dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BFG67XR NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管)
BFG93X NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管)
BFG93 NPN 6 GHz wideband transistors
BFP196T Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
BFP196TR Low Current Operation at 250 ,Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode
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參數(shù)描述
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