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參數(shù)資料
| 型號： | BFG67X |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 文件頁數(shù)： | 5/16頁 |
| 文件大?。?/td> | 133K |
| 代理商： | BFG67X |
1998 Oct 02
5
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 8 GHz wideband transistors
BFG67; BFG67/X; BFG67/XR
Fig.4
DC current gain as a function of collector
current.
V
CE
= 5 V.
handbook, halfpage
0
80
40
0
20
40
MBB301
60
IC
FE
h
Fig.5
Feedback capacitance as a function of
collector-base voltage.
I
C
= i
c
= 0; f = 1 MHz.
handbook, halfpage
Cre
(pF)
0
0.6
0.4
0.2
4
MBB302
8
12
16
VCB (V)
0
Fig.6
Transition frequency as a function of
collector current.
V
CE
= 8 V; T
amb
= 25
°
; f = 2 GHz.
handbook, halfpage
T
0
10
20
40
8
6
2
0
4
MBB303
30
IC
(GHz)
Fig.7 Gain as a function of collector current.
V
CE
= 8 V; f = 1 GHz.
G
= maximum unilateral power gain;
MSG = maximum stable gain;
G
max
= maximum available gain.
handbook, halfpage
gain
(dB)
IC (mA)
0
20
15
10
0
10
20
40
MBB304
30
5
MSG
GUM
max
G
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG67XR | NPN 8GHz wideband transistor(NPN 8G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG93X | NPN 6 GHz wideband transistors(NPN 6G赫茲 寬帶晶體管) |
| BFG93 | NPN 6 GHz wideband transistors |
| BFP196T | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
| BFP196TR | Low Current Operation at 250 ，Low Reverse Leakage,Low Noise Zener Diode |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG67XR | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:NPN 8 GHz wideband transistors |
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