參數資料
型號： BFG410W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 22 GHz wideband transistor
封裝： BFG410W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BFG410W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52
文件頁數： 9/13頁
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代理商： BFG410W
1998 Mar 11
9
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W
SPICE parameters for the BFG410W die
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
(1)
20
(1)
21
(1)
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
(1)
35
(1)
36
(1)
37
(1)
38
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
VJS
MJS
FC
19.42
145.0
0.993
31.12
125.0
123.6
3.000
11.37
0.985
1.874
50.00
199.6
1.546
35.00
0.000
15.00
432.0
4.324
1.500
1.110
3.000
128.0
900.0
0.346
4.122
68.20
2.004
0.627
0.000
56.68
556.9
0.207
0.500
0.000
274.8
418.3
0.239
0.550
aA
V
mA
fA
V
mA
aA
A
m
eV
fF
mV
ps
V
A
deg
fF
mV
ns
fF
mV
Notes
1.
These parameters have not been extracted, the
default values are shown.
Bonding pad capacity C
bp
in series with substrate
resistance R
sb1
between B
and E
.
Bonding pad capacity C
bp
in series with substrate
resistance R
sb2
between C
and E
.
2.
3.
List of components
(see Fig.14)
Note
1.
External emitter inductance to be added separately
due to the influence of the printed-circuit board.
39
(2)(3)
40
(2)
41
(3)
C
bp
R
sb1
R
sb2
145
25
19
fF
DESIGNATION
VALUE
UNIT
C
be
C
cb
C
ce
L1
L2
L3 (note 1)
80
2
80
1.1
1.1
0.25
fF
fF
fF
nH
nH
nH
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
QL
= 50; QL
= 50; QL
(f) = QL
B,E
(f/f
c
)
f
c
= scaling frequency = 1 GHz.
Fig.14 Package equivalent circuit SOT343R2.
handbook, halfpage
MGD956
B
E
C
B'
C'
E'
L3
L1
L2
Ccb
Cbe
ce
C
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