參數資料
型號： BFG410W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 晶體管
英文描述： NPN 22 GHz wideband transistor
封裝： BFG410W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52, 2002,;BFG410W<SOT343R (SOT343R)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343R.html<1<week 52
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代理商： BFG410W
1998 Mar 11
6
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 22 GHz wideband transistor
BFG410W
V
CE
= 2 V; f = 2 GHz.
Fig.7
Gain as a function of collector current;
typical values.
handbook, halfpage
0
8
12
4
16
MGG721
10
0
20
MSG
Gmax
IC (mA)
gain
(dB)
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V.
Fig.8
Gain as a function of frequency;
typical values.
handbook, halfpage
gain
(dB)
0
10
10
2
10
3
10
4
MGG722
10
20
30
40
f (MHz)
MSG
S21
Fig.9 Common emitter input reflection coefficient (S
11
); typical values.
I
C
= 10 mA; V
CE
= 2 V; Z
o
= 50
handbook, full pagewidth
MGG724
0
0.2
0.6
0.4
0.8
1.0
1.0
5
2
1
0.5
0.2
0
0.2
0.5
1
2
5
0.2
0.5
1
2
5
180
°
135
°
90
°
45
°
0
°
45
°
90
°
135
°
40 MHz
3 GHz
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