參數(shù)資料
型號(hào): BFG310XR
廠商: NXP Semiconductors N.V.
英文描述: NPN 14 GHz wideband transistor
中文描述: npn型14 GHz的寬帶晶體管
文件頁(yè)數(shù): 10/12頁(yè)
文件大?。?/td> 75K
代理商: BFG310XR
9397 750 14245
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2005. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 01 — 2 February 2005
10 of 12
Philips Semiconductors
BFG310W/XR
NPN 14 GHz wideband transistor
10. Revision history
Table 10:
Document ID
BFG310W_XR_1
Revision history
Release date
20050202
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Doc. number
9397 750 14245
Supersedes
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BGU2003 SiGe MMIC amplifier
BGY145A VHF amplifier module
BGY145B VHF amplifier module
BGY145C VHF amplifier module
BLV45-12 VHF power transistor
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BFG31115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:RF WIDEBAND TRANSISTOR PNP -15V 5GHZ
BFG31T/R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 100MA I(C) | SOT-223
BFG325 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325/XR 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 14 GHz wideband transistor
BFG325/XR T/R 功能描述:射頻雙極小信號(hào)晶體管 TAPE-7 TNS-RFSS RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel