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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BFG25X |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 英文描述： | NPN 5GHz wideband transistor(NPN 5G赫茲 寬帶晶體管) |
| 中文描述： | 叩5GHz的寬帶晶體管（npn型第五代赫茲寬帶晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 3/16頁 |
| 文件大小： | 143K |
| 代理商： | BFG25X |
1998 Sep 23
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG25AW; BFG25AW/X
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector pin.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
G
UM
is the maximum unilateral power gain, assuming S
12
is zero.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point T
s
≤
85
°
C; note 1
180
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
50
3.5
TYP.
80
0.2
5
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CBO
h
FE
C
re
f
T
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage I
C
= 1 mA; I
B
= 0
emitter-base breakdown voltage
collector leakage current
DC current gain
feedback capacitance
transition frequency
I
C
= 100
μ
A; I
E
= 0
8
5
2
50
200
0.3
V
V
V
nA
I
E
= 100
μ
A; I
C
= 0
open emitter; V
CB
= 5 V; I
E
= 0
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V
I
C
= 0; V
CE
= 1 V; f = 1 MHz
I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V; f = 1 GHz;
T
amb
= 25
°
C
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V;
f = 1 GHz; T
amb
= 25
°
C
I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V;
f = 2 GHz; T
amb
= 25
°
C
Γ
s
= Γ
opt
; I
C
= 0.5 mA; V
CE
= 1 V;
f = 1 GHz
Γ
s
= Γ
opt
; I
C
= 1 mA; V
CE
= 1 V;
f = 1 GHz
pF
GHz
G
UM
maximum unilateral power gain;
note 1
16
dB
8
dB
F
noise figure
1.9
dB
2
dB
G
UM
10
S
)
1
2
1
S
11
–
(
S
22
2
–
(
)
-------------------------------------------------------------- dB.
log
=
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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