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參數(shù)資料
| 型號： | BFG25AW |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 晶體管 |
| 英文描述： | NPN 5 GHz wideband transistor |
| 封裝： | BFG25AW/X<SOT343N (SOT343N)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT343N.html<1<week 52, 2002,; |
| 文件頁數(shù)： | 10/14頁 |
| 文件大?。?/td> | 346K |
| 代理商： | BFG25AW |
1998 Sep 23
10
NXP Semiconductors
Product specification
NPN 5 GHz wideband transistors
BFG25AW; BFG25AW/X
SPICE parameters for the BFG25W crystal
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
(1)
20
(1)
21
(1)
22
23
24
25
26
27
28
29
30
31
32
33
34
35
(1)
IS
BF
NF
VAF
IKF
ISE
NE
BR
NR
VAR
IKR
ISC
NC
RB
IRB
RBM
RE
RC
XTB
EG
XTI
CJE
VJE
MJE
TF
XTF
VTF
ITF
PTF
CJC
VJC
MJC
XCJC
TR
CJS
13.77
85.65
0.980
50.80
10.00
2.199
1.857
16.97
0.986
2.491
188.0
205.1
1.107
80.00
1.000
80.00
7.911
5.300
0.000
1.110
3.000
223.0
669.7
0.060
5.112
7.909
1.338
5.662
15.37
229.0
394.7
0.043
0.050
13.26
0.000
aA
V
A
fA
V
mA
aA
A
eV
fF
mV
ps
V
mA
deg
fF
mV
ns
F
Note
1.
These parameters have not been extracted, the
default values are shown.
List of components
(see Fig.19)
36
(1)
37
(1)
38
VJS
MJS
FC
750.0
0.000
0.988
mV
DESIGNATION
VALUE
UNIT
C
be
C
cb
C
ce
L1
L2
L3
L
B
L
E
70
50
115
0.34
0.10
0.25
0.40
0.40
fF
fF
fF
nH
nH
nH
nH
nH
SEQUENCE No.
PARAMETER
VALUE
UNIT
QL
= 50; QL
= 50; QL
(f) = QL
B,E
(f/f
c
);
f
c
= scaling frequency = 1 GHz.
Fig.19 Package equivalent circuit SOT343N.
handbook, halfpage
MBC964
B
E
C
B'
C'
E'
LB
LE
L3
L1
L2
Ccb
Cbe
ce
C
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25A | NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG310W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG310W | NPN 14 GHz wideband transistor |
| BFG310W | NPN 14 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG25AW/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistors |
| BFG25AW/X,115 | 功能描述:射頻雙極小信號晶體管 Single NPN 5V 6.5mA 500mW 50 5GHz RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:NPN 最大工作頻率:7000 MHz 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:15 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:2 V 集電極連續(xù)電流:0.15 A 功率耗散:1000 mW 直流集電極/Base Gain hfe Min: 最大工作溫度:+ 150 C 封裝 / 箱體:SOT-223 封裝:Reel |
| BFG25AX | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG25X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 5 GHz wideband transistor |
| BFG-2802 | 制造商:Misc 功能描述: |
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