參數(shù)資料
型號： BFG11W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
英文描述： NPN 2 GHz power transistor
中文描述： 叩2 GHz的功率晶體管
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 98K
代理商： BFG11W
1996 Jun 04
3
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz power transistor
BFG11W/X
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
THERMAL CHARACTERISTICS
Note to the Limiting values and Thermal characteristics
1.
T
s
is the temperature at the soldering point of the collector tab.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
P
tot
T
stg
T
j
collector-base voltage
collector-emitter voltage
emitter-base voltage
collector current (DC)
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
open emitter
open base
open collector
65
20
8
2.5
500
760
+150
175
V
V
V
mA
mW
°
C
°
C
up to T
s
= 60
°
C; note 1
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
up to T
s
= 60
°
C;
P
tot
= 760 mW; note 1
VALUE
UNIT
R
th j-s
thermal resistance from junction to soldering point
150
K/W
Fig.2 Transient thermal impedance from junction to soldering point as a function of pulse time; typical values.
handbook, full pagewidth
MGD411
10
5
10
6
10
4
10
3
10
2
10
1
1
3
10
2
10
1
Zth j-s
(K/W)
tp (s)
δ
=
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.1
0.05
0.02
0.01
tp
T
P
t
tp
T
δ
=
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PDF描述
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