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參數(shù)資料
| 型號： | BFG11 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-143, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 4/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 79K |
| 代理商： | BFG11 |
1995 Apr 07
4
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
(BR)CBO
V
(BR)CEO
V
(BR)EBO
I
CES
h
FE
C
c
C
re
collector-base breakdown voltage
collector-emitter breakdown voltage
emitter-base breakdown voltage
collector cut-off current
DC current gain
collector capacitance
feedback capacitance
open emitter; I
C
= 0.1 mA; I
E
= 0
open base; I
C
= 10 mA; I
B
= 0
open collector; I
E
= 0.1 mA; I
C
= 0
V
CE
= 8 V; V
BE
= 0
I
C
= 100 mA; V
CE
= 5 V
I
E
= i
e
= 0; V
CB
= 3.6 V; f = 1 MHz
I
C
= 0; V
CE
= 3.6 V; f = 1 MHz
20
8
2.5
25
100
4
3
V
V
V
μ
A
pF
pF
I
C
= 0; f = 1 MHz.
Fig.3
Collector capacitance as a function of
collector-base voltage; typical values.
handbook, halfpage
Cc
(pF)
MLC848
0
10
4
8
0
3
6
2
1
VCB(V)
2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG11X | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| BFG16A | NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管) |
| BFG16 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFG17 | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFG17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG11 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143 |
| BFG11/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG11/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG11W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
| BFG11W/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
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