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參數(shù)資料
| 型號： | BFG11 |
| 廠商： | NXP SEMICONDUCTORS |
| 元件分類： | 小信號晶體管 |
| 英文描述： | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| 中文描述： | L BAND, Si, NPN, RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | PLASTIC, SOT-143, 4 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 2/12頁 |
| 文件大小： | 79K |
| 代理商： | BFG11 |
1995 Apr 07
2
Philips Semiconductors
Product specification
NPN 2 GHz RF power transistor
BFG11; BFG11/X
FEATURES
High power gain
High efficiency
Small size discrete power amplifier
1.9 GHz operating area
Gold metallization ensures excellent reliability.
APPLICATIONS
Common emitter class-AB operation in hand-held radio
equipment at 1.9 GHz.
DESCRIPTION
NPN silicon planar epitaxial transistors encapsulated in a
plastic, 4-pin dual-emitter SOT143 package.
MARKING
TYPE NUMBER
CODE
BFG11
BFG11/X
N72
N73
PINNING
PIN
DESCRIPTION
BFG11
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
base
emitter
emitter
BFG11/X
(see Fig.1)
1
2
3
4
collector
emitter
base
emitter
Fig.1 SOT143.
handbook, 2 columns
Top view
MSB014
1
2
3
QUICK REFERENCE DATA
RF performance at T
amb
= 25
°
C in a common-emitter test circuit (see Fig.7).
MODE OF OPERATION
f
(GHz)
V
CE
(V)
P
L
(mW)
G
p
(dB)
≥
4
η
c
(%)
≥
50
Pulsed, class-AB, duty cycle < 1 : 8
1.9
3.6
400
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BFG11X | NPN 2 GHz RF power transistor(NPN 2 GHz 射頻功率晶體管) |
| BFG16A | NPN 2GHz wideband transistor(NPN 2GHz 寬帶晶體管) |
| BFG16 | NPN 2 GHz wideband transistor |
| BFG17 | NPN 3 GHz wideband transistor |
| BFG17A | NPN 3 GHz wideband transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BFG11 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN RF SOT-143 |
| BFG11/T1 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR NPN HF |
| BFG11/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz RF power transistor |
| BFG11W | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
| BFG11W/X | 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:NPN 2 GHz power transistor |
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