參數(shù)資料
型號(hào)： BF998
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
中文描述： N溝道雙柵MOS - Fieldeffect四極管，耗盡型
文件頁(yè)數(shù)： 4/9頁(yè)
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代理商： BF998
BF998/BF998R/BF998RW
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
4 (9)
Rev. 4, 23-Jun-99
Document Number 85011
Typical Characteristics
(T
amb
= 25 C unless otherwise specified)
0
50
100
150
200
250
300
0
20
40
60
80
100 120 140 160
T
amb
– Ambient Temperature (
°
C )
96 12159
P
t
Figure 1. Total Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
0
5
10
15
20
25
30
0
2
4
6
8
10
V
DS
– Drain Source Voltage ( V )
12812
I
D
V
G1S
=0.6V
0.4V
0
–0.4V
0.2V
V
G2S
=4V
–0.2V
Figure 2. Drain Current vs. Drain Source Voltage
0
–0.8
4
8
12
16
20
–0.4
V
G1S
– Gate 1 Source Voltage ( V )
0.0
0.4
0.8
1.2
12816
I
D
6V
5V
4V
0
2V
1V
3V
V
DS
=8V
V
G2S
=–1V
Figure 3. Drain Current vs. Gate 1 Source Voltage
0
–0.6
4
8
12
16
20
–0.2
V
G2S
– Gate 2 Source Voltage ( V )
0.2
0.6
1.0
1.4
12817
I
D
0
2V
1V
3V
V
DS
=8V
5V
V
G1S
=–1V
4V
Figure 4. Drain Current vs. Gate 2 Source Voltage
0
–2
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
–1.5
–1.0
–0.5
0.0
0.5
1.0
1.5
V
G1S
– Gate 1 Source Voltage ( V )
12863
C
i
V
DS
=8V
V
G2S
=4V
f=1MHz
Figure 5. Gate 1 Input Capacitance vs.
Gate 1 Source Voltage
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
2
4
6
8
10
12
V
DS
– Drain Source Voltage ( V )
12864
C
o
V
G2S
=4V
f=1MHz
Figure 6. Output Capacitance vs. Drain Source Voltage
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF998RBW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998R RES,Metal Glaze,33.2Ohms,200WV,1+/-% Tol,-100,100ppm-TC,1210-Case RoHS Compliant: No
BF998RW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998A N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998B N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF998 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
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BF998,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF998 Series 12 V 30 mA N-channel Dual-gate MOS-FET - SOT143B
BF998,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 12V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF998 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143
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