參數(shù)資料
型號(hào)： BF998
廠商： Vishay Intertechnology,Inc.
英文描述： N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
中文描述： N溝道雙柵MOS - Fieldeffect四極管，耗盡型
文件頁(yè)數(shù)： 3/9頁(yè)
文件大小： 155K
代理商： BF998
BF998/BF998R/BF998RW
Vishay Telefunken
www.vishay.de
FaxBack +1-408-970-5600
Rev. 4, 23-Jun-99
3 (9)
Document Number 85011
Electrical AC Characteristics
V
DS
= 8 V, I
D
= 10 mA, V
G2S
= 4 V, f = 1 MHz , T
amb
= 25 C, unless otherwise specified
Parameter
Test Conditions
Symbol
y
21s
C
issg1
C
issg2
C
rss
C
oss
G
ps
G
ps
G
ps
F
F
Min
21
Typ
24
2.1
1.1
25
1.05
28
20
Max
Unit
mS
pF
pF
fF
pF
dB
dB
dB
dB
dB
Forward transadmittance
Gate 1 input capacitance
Gate 2 input capacitance
Feedback capacitance
Output capacitance
Power gain
2.5
V
G1S
= 0, V
G2S
= 4 V
G
S
= 2 mS, G
L
= 0.5 mS, f = 200 MHz
G
S
= 3,3 mS, G
L
= 1 mS, f = 800 MHz
V
G2S
= 4 to –2 V, f = 800 MHz
G
S
= 2 mS, G
L
= 0.5 mS, f = 200 MHz
G
S
= 3,3 mS, G
L
= 1 mS, f = 800 MHz
16.5
40
AGC range
Noise figure
1.0
1.5
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF998RBW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998R RES,Metal Glaze,33.2Ohms,200WV,1+/-% Tol,-100,100ppm-TC,1210-Case RoHS Compliant: No
BF998RW N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998A N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
BF998B N-Channel Dual Gate MOS-Fieldeffect Tetrode, Depletion Mode
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF998 T/R 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans RF MOSFET N-CH 12V 0.03A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R
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BF998,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF998 Series 12 V 30 mA N-channel Dual-gate MOS-FET - SOT143B
BF998,235 功能描述:射頻MOSFET小信號(hào)晶體管 Dual N-Channel 12V 30mA 200mW RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Dual Dual Gate 晶體管極性:N-Channel 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 汲極/源極擊穿電壓:6 V 閘/源擊穿電壓:6 V 漏極連續(xù)電流:30 mA 功率耗散:180 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SC-88 封裝:Reel
BF998 制造商:Vishay Siliconix 功能描述:MOSFET N RF DUAL-GATE SOT-143
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