參數(shù)資料
型號： BF861CT/R
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 8/13頁
文件大?。?/td> 73K
代理商： BF861CT/R
9397 750 13395
Koninklijke Philips Electronics N.V. 2004. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 04 — 24 September 2004
4 of 13
Philips Semiconductors
BF861A; BF861B; BF861C
N-channel junction FETs
VGSoff
gate-source cut-off
voltage
BF861A
ID =1 A
0.2
-
1V
BF861B
ID =1 A
0.5
-
1.5
V
BF861C
ID =1 A
0.8
-
2V
VGSS
gate-source forward
voltage
VDS =0V; IG =1mA
-
1
V
IDSS
drain current
BF861A
2
-
6.5
mA
BF861B
6
-
15
mA
BF861C
12
-
25
mA
IGSS
gate cut-off current
VGS = 20 V;
VDS =0V
--
1nA
yfs
forward transfer
admittance
BF861A
12
-
20
mS
BF861B
16
-
25
mS
BF861C
20
-
30
mS
gos
common source
output conductance
BF861A
-
200
S
BF861B
-
250
S
BF861C
-
300
S
Ciss
input capacitance
f = 1 MHz
-
10
pF
Crss
reverse transfer
capacitance
f = 1 MHz
-
2.1
2.7
pF
Vn/√B
equivalent input noise
voltage
VGS = 0 V; f = 1 MHz
-
1.5
-
nV/
√Hz
Table 7:
Characteristics …continued
Tj =25 °C; VDS =8V; VGS = 0 V unless otherwise specied.
Symbol
Parameter
Conditions
Min
Typ
Max
Unit
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BF861AT/R 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BF861C-T 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, TO-236AB
BF988B UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, MOSFET, TO-50
BFCN-7500+ 7500 MHz, CERAMIC BPF
BFCN-ED13661/10 8350 MHz, BAND PASS FILTER
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BF862 制造商:PHILIPS-SEMI 功能描述:
BF862,215 功能描述:射頻JFET晶體管 JFET N-CH 20V 10MA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF862,215-CUT TAPE 制造商:NXP 功能描述:BF862 Series 20 V 300 mW SMT N-ChannelJunction FET - SOT-23-3
BF862,235 功能描述:射頻JFET晶體管 N-Channel Single ’+/- 20V 25mA RoHS:否 制造商:NXP Semiconductors 配置:Single 晶體管極性:N-Channel 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）: 電阻汲極/源極 RDS（導(dǎo)通）: 漏源電壓 VDS:40 V 閘/源截止電壓:5 V 閘/源擊穿電壓:40 V 最大漏極/柵極電壓:40 V 漏極電流（Vgs=0 時(shí)的 Idss）:25 mA to 75 mA 漏極連續(xù)電流: 功率耗散:250 mW 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23 封裝:Reel
BF862_00 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:N-channel junction FET
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