參數(shù)資料
型號(hào): BF840
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 功率晶體管
英文描述: NPN medium frequency transistor
中文描述: NPN中頻晶體管
封裝: BF840<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;BF840<SOT23 (TO-236AB)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT23.html<1<week 34, 2003,;
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代理商: BF840
2004 Jan 13
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
NPN medium frequency transistor
BF840
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
j
= 25
°
C unless otherwise specified.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th(j-a)
thermal resistance from junction to ambient
note 1
500
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
725
0.3
380
MAX.
UNIT
I
CBO
I
EBO
h
FE
V
BE
C
re
f
T
collector cut-off current
emitter cut-off current
DC current gain
base-emitter voltage
feedback capacitance
transition frequency
I
E
= 0; V
CB
= 20 V
I
C
= 0; V
EB
= 4 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V
I
C
= 0; V
CB
= 10 V; f = 1 MHz
I
C
= 1 mA; V
CE
= 10 V; f = 100 MHz
67
675
100
100
222
775
nA
nA
mV
pF
MHz
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PDF描述
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BF840 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF840,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BF840,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED FREQ RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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