參數(shù)資料
型號(hào)： BD707
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： 互補(bǔ)性的芯片功率晶體管
文件頁數(shù)： 4/6頁
文件大小： 97K
代理商： BD707
Collector-Emitter SaturationVoltage (NPNtype)
Collector-Emitter SaturationVoltage (PNP type)
Base-EmitterSaturationVoltage (NPN type)
Base-EmitterSaturationVoltage (PNP type)
TransitionFrequency(NPN type)
TransitionFrequency(PNP type)
BD707/708/709/711/712
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相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD708 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD709 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD711 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD712 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD905FI Power Linear and Switching Applications(硅平面外延工藝NPN功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD708 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD709 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Power Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD70GA3MEFJ-ME2 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:IC REG LDO 7.0V 0.3A 8HTSOP
BD70GA3WEFJ-E2 功能描述:低壓差控制器 - LDO LDO Reg Pos 7.0V 0.3A RoHS:否 制造商:Micrel 最大輸入電壓:5.5 V 輸出電壓:Adjustable 輸出電流:10 mA 負(fù)載調(diào)節(jié): 輸出類型:Adjustable, Fixed 輸出端數(shù)量:1 最大工作溫度:+ 125 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:SOT-23-6
BD70GA3WEFJ-TR 制造商:ROHM 制造商全稱:Rohm 功能描述:300mA Variable / Fixed Output LDO Regulators
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