參數(shù)資料
型號(hào)： BD442
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率晶體管（互補(bǔ)硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 3/4頁
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代理商： BD442
DIM.
mm
inch
MIN.
TYP.
MAX.
MIN.
TYP.
MAX.
A
7.4
7.8
0.291
0.307
B
10.5
10.8
0.413
0.445
b
0.7
0.9
0.028
0.035
b1
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0.75
0.019
0.030
C
2.4
2.7
0.040
0.106
c1
1.0
1.3
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D
15.4
16.0
0.606
0.629
e
2.2
0.087
e3
4.15
4.65
0.163
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F
3.8
0.150
G
3
3.2
0.118
0.126
H
2.54
0.100
H2
2.15
0.084
H2
0016114
SOT-32 (TO-126) MECHANICAL DATA
BD439/BD440/BD441/BD442
3/4
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PDF描述
BD440 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
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BD534FP Complementary Silicon Power Transistors(互補(bǔ)硅功率晶體管)
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參數(shù)描述
BD442G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD442S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD442STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD449 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
BD45000 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 RJ CRIMPING TOOL RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點(diǎn)數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點(diǎn)電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級(jí):
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