參數(shù)資料
型號： BD442
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
中文描述： Complemetary硅功率晶體管（互補硅功率晶體管）
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 69K
代理商： BD442
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case Max
Thermal Resistance Junction-ambient Max
3.5
100
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unless otherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
for
BD439/440
V
CB
= 60 V
for
BD441/442
V
CB
= 80 V
100
100
μ
A
μ
A
μ
A
μ
A
mA
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
(I
B
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
for
BD439/440
V
CB
= 60 V
for
BD441/442
V
CB
= 80 V
V
EB
= 5 V
100
100
I
EBO
1
I
C
= 100 mA for
DB439/440
for
BD441/442
60
80
V
V
I
C
= 2 A I
B
= 0.2 A
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
I
C
= 10 mA V
CE
= 5 V
for
BD439/440
for
BD441/442
I
C
= 500 mA V
CE
= 1 V
for
BD439/440
for
BD441/442
I
C
= 2 A V
CE
= 1 V
for
BD439/440
for
BD441/442
0.8
V
0.58
1.5
V
V
h
FE
DC Current Gain
20
15
40
40
25
15
130
130
140
140
h
FE1
/
h
FE2
Matched Pair
f
T
Transition frequency
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle 1.5 %
IC = 500 mA V
CE
= 1 V
I
C
= 250 mA V
CE
= 1 V
1.4
3
MHz
BD439/BD440/BD441/BD442
2/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BD440 COMPLEMENTARY SILICON POWER TRANSISTORS
BD533FP Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
BD534FP Complementary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
BD537 Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
BD536 Complemetary Silicon Power Transistors(互補硅功率晶體管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BD442G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 4A 80V 36W PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD442S 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Epitaxial Sil RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD442STU 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Si Transistor Epitaxial RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD449 制造商:INFINEON 制造商全稱:Infineon Technologies AG 功能描述:PNP SILICON EPIBASE TRANSISTORS
BD45000 功能描述:以太網(wǎng)和電信連接器 RJ CRIMPING TOOL RoHS:否 制造商:Pulse 產(chǎn)品:Modular Jacks 性能類別: USOC 代碼:RJ45 位置/觸點數(shù)量: 安裝風(fēng)格:Through Hole 端口數(shù)量:1 x 1 型式:Female 屏蔽: 電流額定值: 電壓額定值: 觸點電鍍: 外殼材料:Thermoplastic IP 等級:
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