參數(shù)資料
型號: BD250C
廠商: Power Innovations International, Inc.
英文描述: PNP SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述: 進步黨硅功率晶體管
文件頁數(shù): 1/3頁
文件大?。?/td> 131K
代理商: BD250C
A
相關PDF資料
PDF描述
BD249 NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD249A NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD249B NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD249C NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD540 ECONOLINE: RI - Custom Solutions Available- 1kVDC Isolation- No Extern. Components Required- UL94V-0 Package Material- No Heatsink Required- Efficiency to 87%
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BD250C 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR PNP TO-247
BD250C-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD250-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 25A PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD253A 制造商:SEME-LAB 制造商全稱:Seme LAB 功能描述:Bipolar NPN Device in a Hermetically sealed TO3 Metal Package
BD254 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:BD254 - Tranzystor krzemowy du縠j mocy. ma砮j cz阺totliwo禼i