參數(shù)資料
型號(hào)： BD249A
廠商： Power Innovations International, Inc.
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTORS
中文描述： NPN硅功率晶體管
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大?。?/td> 131K
代理商： BD249A
A
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PDF描述
BD249B NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD249C NPN SILICON POWER TRANSISTORS
BD540 ECONOLINE: RI - Custom Solutions Available- 1kVDC Isolation- No Extern. Components Required- UL94V-0 Package Material- No Heatsink Required- Efficiency to 87%
BD540A PNP SILICON POWER TRANSISTORS
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參數(shù)描述
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BD249B 功能描述:兩極晶體管 - BJT 125W NPN Silicon RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD249B-S 功能描述:兩極晶體管 - BJT 80V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BD249C 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 100V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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