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參數(shù)資料
| 型號： | BD249C |
| 廠商： | MOSPEC SEMICONDUCTOR CORP. |
| 英文描述： | POWER TRANSISTORS(25A,125W) |
| 中文描述： | 功率晶體管（25A條，125瓦） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 131K |
| 代理商： | BD249C |
A
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD250 | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD250A | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD250B | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD250C | PNP SILICON POWER TRANSISTORS |
| BD249 | NPN SILICON POWER TRANSISTORS |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BD249C | 制造商:SPC Multicomp 功能描述:TRANSISTOR NPN TO-247 |
| BD249CG | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 25A 100V 125W NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD249C-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD249-S | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 45V 25A NPN RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BD-24A | 制造商:Mueller Electric Company 功能描述: |
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