參數(shù)資料
型號： BD239C
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： NPN SILICON POWER TRANSISTOR
中文描述： NPN硅功率晶體管
文件頁數(shù)： 2/4頁
文件大?。?/td> 32K
代理商： BD239C
THERMAL DATA
R
thj-case
R
thj-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
4.17
62.5
o
C/W
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CES
Collector Cut-off
Current (V
BE
= 0)
Collector Cut-off
Current (I
B
= 0)
Emitter Cut-off Current
(I
C
= 0)
V
CEO(sus)
Collector-Emitter
Sustaining Voltage
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE
Base-Emitter Voltage
h
FE
DC Current Gain
V
CE
= 100 V
0.2
mA
I
CEO
V
CE
= 60 V
0.3
mA
I
EBO
V
EB
= 5 V
1
mA
I
C
= 30 mA
100
V
I
C
= 1 A
I
B
= 0.2 A
0.7
V
I
C
= 1 A
V
CE
= 4 V
1.3
V
I
C
= 0.2 A
I
C
= 1 A
V
CE
= 4 V
V
CE
= 4 V
40
15
h
fe
Small Signal Current
Gain
I
C
= 0.2 A
I
C
= 0.2 A
V
CE
= 10 V
V
CE
= 10 V
f = 1MHz
f = 1KHz
3
20
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
Safe OperatingAreas
BD239C
2/4
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