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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCY58 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Low Noise Audio Amplifiers(硅平面外延工藝NPN晶體管) |
| 中文描述： | 低噪聲音頻放大器（硅平面外延工藝npn型晶體管） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 3/6頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | BCY58 |
DC Current Gain.
Collector-emitter Saturation Voltage.
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
Symbol
h
fe
Parameter
Test Conditions
I
C
= 2 mA
f = 1 kHz
Min.
Typ.
Max.
Unit
Small Signal Current Gain
V
CE
= 5 V
Gr.VII
Gr.VIII
Gr.IX
Gr.X
V
CE
= 5 V
125
125
175
250
350
250
350
500
700
f
T
Transition Frequency
I
C
=10 mA
f = 100 MHz
I
C
= 0
f = 1 MHz
I
E
= 0
f = 1 MHz
I
C
= 0.2 mA
R
g
= 2 k
I
C
= 10 mA
I
B1
= 1 mA
I
C
= 100 mA
I
B1
= 10 mA
I
C
= 10 mA
I
B1
= – I
B2
= 1
I
C
= 100 mA
I
B1
= – I
B2
= 10
200
MHz
C
EBO
Emitter-base Capacitance
V
EB
= 0.5 V
11
15
pF
C
CBO
Collector-base Capacitance
V
CB
= 10 V
3.5
6
pF
NF
Noise Figure
V
CE
= 5 V
f = 1 kHz
V
CC
= 10 V
2
6
dB
t
on
Turn-on Time
V
CC
= 10 V
85
55
150
150
ns
ns
t
off
Turn-off Time
V
CC
= 10 V
mA
V
CC
= 10 V
mA
480
480
800
800
ns
ns
*
Pulsed : pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1 %.
BCY58-BCY59
3/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD137 | NPN Silicon Transistors(NPN硅晶體管) |
| BD138 | PNP Silicon Transistors(硅PNP晶體管) |
| BD140 | PNP Silicon Transistors(硅PNP晶體管) |
| BD234 | Silicon PNP Transistor(硅PNP晶體管) |
| BD239C | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| BCY58-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
| BCY58-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
| BCY58-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
| BCY58-9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
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