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參數(shù)資料
| 型號： | BCY58 |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 英文描述： | Low Noise Audio Amplifiers(硅平面外延工藝NPN晶體管) |
| 中文描述： | 低噪聲音頻放大器（硅平面外延工藝npn型晶體管） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 98K |
| 代理商： | BCY58 |
THERMAL DATA
R
th j-case
R
th j-amb
Thermal Resistance Junction-case
Thermal Resistance Junction-ambient
Max
Max
150
450
°
C/W
°
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified)
Symbol
I
CES
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Collector Cutoff Current
(V
BE
= 0)
For
BCY58
V
CE
= 32 V
V
CE
= 32 V
For
BCY59
V
CE
= 45 V
V
CE
= 45 V
T
amb
= 150
°
C
T
amb
= 150
°
C
0.1
0.1
0.1
0.1
10
10
10
10
nA
μ
A
nA
μ
A
I
CEX
Collector Cutoff Current
(V
BE
= – 0.2 V)
For
BCY58
V
CE
= 32 V
For
BCY59
V
CE
= 45 V
V
EB
= 5 V
T
amb
= 100
°
C
T
amb
= 100
°
C
20
20
10
μ
A
μ
A
nA
I
EBO
Emitter cutoff Current
(I
C
= 0)
Collector-emitter Breakdown
Voltage (I
B
= 0)
Emitter-base Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
Collector-Emitter Saturation
Voltage
Base-emitter Voltage
V
(BR)CEO
*
I
C
= 2 mA
For
BCY58
For
BCY59
32
45
7
V
V
V
(BR)EBO
*
I
E
= 10
μ
A
V
CE(sat)
*
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 2 mA
I
C
= 100 mA
I
C
= 10 mA
I
C
= 100 mA
I
C
=10
μ
A
I
B
= 0.25 mA
I
B
= 2.5 mA
V
CE
= 5 V
V
CE
= 1 V
I
B
= 0.25 mA
I
B
= 2.5 mA
V
CE
= 5 V
Gr.VII
Gr.VIII
Gr.IX
Gr.X
V
CE
= 5 V
Gr.VII
Gr.VIII
Gr.IX
Gr.X
V
CE
= 1 V
Gr.VII
Gr.VIII
Gr.IX
Gr.X
V
CE
=1 V
Gr.VII
Gr.VIII
Gr.IX
Gr.X
0.12
0.4
0.65
0.75
0.7
0.9
195
100
140
195
280
350
170
250
350
500
365
175
260
365
520
0.35
0.7
0.7
V
V
V
V
V
V
V
BE
0.55
V
BE
(
sat
)*
Base-emitter Saturation Voltage
0.6
0.75
0.85
1.2
h
FE
*
DC Current Gain
I
C
= 2 mA
I
C
=10 mA
I
C
=100 mA
20
40
100
120
120
180
250
380
80
80
120
160
240
40
40
45
60
60
630
220
310
460
630
*
Pulsed : pulse duration = 300
μ
s, duty cycle = 1 %.
BCY58-BCY59
2/6
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BD137 | NPN Silicon Transistors(NPN硅晶體管) |
| BD138 | PNP Silicon Transistors(硅PNP晶體管) |
| BD140 | PNP Silicon Transistors(硅PNP晶體管) |
| BD234 | Silicon PNP Transistor(硅PNP晶體管) |
| BD239C | NPN SILICON POWER TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCY58_12 | 制造商:COMSET 制造商全稱:Comset Semiconductor 功能描述:SILICON PLANAR EPITAXIAL TRANSISTORS |
| BCY58-10 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | NPN | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
| BCY58-7 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
| BCY58-8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
| BCY58-9 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 32V V(BR)CEO | TO-18 |
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