參數(shù)資料
型號(hào)： BCX55-10
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
封裝： BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5
文件頁數(shù)： 10/15頁
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代理商： BCX55-10
BC637_BCP55_BCX55_7
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 25 June 2007
10 of 15
NXP Semiconductors
BC637; BCP55; BCX55
60 V, 1 A NPN medium power transistors
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 10. DC current gain as a function of collector
current; typical values
T
amb
= 25
°
C
Fig 11. Collector current as a function of
collector-emitter voltage; typical values
V
CE
= 2 V
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 12. Base-emitter voltage as a function of collector
current; typical values
I
C
/I
B
= 10
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 13. Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
006aaa080
100
200
300
h
FE
0
10
1
I
C
(mA)
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
V
CE
(V)
0
2.0
1.6
0.8
1.2
0.4
006aaa084
0.8
0.4
1.2
1.6
I
C
(A)
0
25
20
15
10
5
I
B
(mA) = 50
45
40
35
30
006aaa081
0.4
0.8
1.2
V
BE
(V)
0
10
1
I
C
(mA)
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
006aaa082
10
1
1
V
CEsat
(V)
10
2
I
C
(mA)
10
1
10
4
10
3
1
10
2
10
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCR5PM-12LG-A8 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
BCU81-SMD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
BCU83-SMD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
BCU86-SMD NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
BCU87-SMD NPN/PNP EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCX55-10 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX55-10,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCX55-10115 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR NPN 60V 1A SOT89
BCX55-10-BG 制造商:ZETEX 制造商全稱:ZETEX 功能描述:SOT89 NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX55-10E6327 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
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