參數(shù)資料
型號： BCWDLT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 通用晶體管（NPN硅）
文件頁數(shù)： 5/6頁
文件大小： 315K
代理商： BCWDLT1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M9–5/6
TYPICAL DYNAMIC CHARACTERISTICS
C
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 13. Turn–On Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 14. Turn–Off Time
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 15. Current–Gain — Bandwidth Product
V
R
, REVERSE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Capacitance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 17. Input Impedance
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 18. Output Admittance
t
t
f
T
,
h
i
h
o
μ
m
)
t
d
@ V
BE(off)
= 0.5 Vdc
t
f
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
I
B1
=I
B2
T
J
= 25°C
t
f
t
s
5.0 V
C
ib
C
ob
T
J
= 25°C
f =
1.0MHz
V
= 10 Vdc
f = 1.0 kHz
T
A
= 25°C
V
= 10 Vdc
f = 1.0 kHz
T
A
= 25°C
h
fe
200 @ I
C
= 1.0 mA
300
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
1000
700
500
300
200
100
70
50
30
20
10
1.0
2.0
3.0
5.0
7.0
10
20
30
50
70
100
500
300
200
100
70
50
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
10.0
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.05
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
1.0
0.7
0.5
0.3
0.2
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
200
100
70
50
30
20
10
7.0
5.0
3.0
2.0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
BCW60ALT1 BCW60BLT1 BCW60DLT1
V
CC
= 3.0 V
I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
V
CE
=20 V
T
J
= 25°C
f=100MHz
h
fe
200 @ I
C
= 1.0 mA
~
~
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PDF描述
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