參數(shù)資料
型號(hào)： BCWDLT1
廠商： 樂山無(wú)線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(NPN Silicon)
中文描述： 通用晶體管（NPN硅）
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 315K
代理商： BCWDLT1
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M9–4/6
I
B
, BASE CURRENT (mA)
Figure 9. Collector Saturation Region
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 12. Temperature Coefficients
V
CE
, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
Figure 10. Collector Characteristics
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 11. “On” Voltages
I
C
V
V
C
θ
V
θ
VB
for V
BE
θ
VC
for V
CE(sat)
V
BE(on)
@ V
CE
= 1.0 V
V
CE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
V
BE(sat)
@ I
C
/I
B
= 10
T
J
= 25°C
I
C
= 1.0 mA
50 mA
100 mA
10 mA
T
J
= 25°C
*APPLIES for I
C
/ I
B
<
h
FE
/ 2
T
= 25°C
PULSE WIDTH =300
μ
s
DUTY CYCLE
<
2.0%
I
B
= 500
μ
A
100
μ
A
200
μ
A
300
μ
A
400
μ
A
–55°C to 25°C
–55°C to 25°C
25°C to 125°C
25°C to 125°C
1.4
1.2
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
1.6
0.8
0
–0.8
–1.6
–2.4
0.1
0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
50
100
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
0.002 0.0050.010.02
0.05 0.1 0.2
0.5
1.0
2.0
5.0
10
20
100
80
60
40
20
0
0
5.0
10
15
20
25
30
35
40
TYPICAL NOISE CHARACTERISTICS
BCW60ALT1 BCW60BLT1 BCW60DLT1
400
200
100
80
60
40
h
F
0.0040.006 0.01
0.02 0.03
0.05 0.07
0.1
0.2
0.3
0.5
0.7
1.0
2.0
3.0
5.0 7.0
10
20
30
50
70
100
I
C
, COLLECTOR CURRENT (mA)
Figure 8. DC Current Gain
V
CE
= 1.0 V
V
CE
= 10 V
T
J
= 125°C
25°C
– 55°C
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PDF描述
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BCX 42 E6327 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Silicn AF/Switch TRANSISTOR RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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