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參數(shù)資料
| 型號： | BCWBLT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（NPN硅） |
| 文件頁數(shù)： | 2/6頁 |
| 文件大?。?/td> | 315K |
| 代理商： | BCWBLT1 |
LESHAN RADIO COMPANY, LTD.
M9–2/6
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted) (Continued)
Characteristic
ON CHARACTERISTICS
DC Current Gain
( I
C
= 10
μ
Adc, V
CE
= 5.0 Vdc )
BCW60A
BCW60B
BCW60D
( I
C
= 2.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc )
BCW60A
BCW60B
BCW60D
( I
C
= 50 mAdc, V
CE
= 1.0 Vdc )
BCW60A
BCW60B
BCW60D
AC Current Gain
( V
CE
= 5.0Vdc, I
C
= 2.0 mAdc,
BCW60A
f= 1.0 kHz )
BCW60B
BCW60D
Collector–Emitter Saturation Voltage
( I
C
= 50 mAdc, I
B
= 1.25 mAdc )
( I
C
= 10 mAdc, I
B
= 0.25 mAdc )
Base–Emitter Saturation Voltage
( I
C
= 50 mAdc, I
B
= 1.25 mAdc )
( I
C
= 50 mAdc, I
B
= 0.25 mAdc )
Base–Emitter On Voltage
( I
C
= 2.0 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc )
SM
SMALL–SIGNAL CHARACTERISTICS
Current–Gain — Bandwidth Product
(I
C
= 10 mAdc, V
CE
= 5.0 Vdc, f = 100 MHz)
Output Capacitance
(V
CE
= 10 Vdc, I
C
= 0, f = 1.0 MHz)
Noise Figure
(V
CE
= 5.0 Vdc, I
C
= 0.2 mAdc, R
S
= 2.0 k
, f = 1.0 kHz, BW = 200 Hz)
SWITCHING CHARACTERISTICS
Turn–On Time
(I
C
= 10 mAdc, I
B1
= 1.0 mAdc)
Turn–Off Time
(I
B2
= 1.0 mAdc, V
BB
= 3.6 Vdc, R
1
= R
2
= 5.0 k
, R
L
= 990
)
Symbol
Min
Max
Unit
h
FE
—
20
30
100
—
—
—
h
FE
—
120
175
380
220
310
630
h
FE
—
60
70
100
—
—
—
h
FE
—
125
175
350
250
350
700
V
CE(sat)
Vdc
—
—
0.55
0.35
V
BE(sat)
Vdc
0.7
0.6
1.05
0.85
V
BE(on)
Vdc
0.6
0.75
f
T
125
—
MHz
C
obo
—
4.5
pF
NF
—
6.0
dB
t
on
—
150
ns
t
off
—
800
ns
BCW60ALT1 BCW60BLT1 BCW60DLT1
Figure 1. Turn–On Time
Figure 2. Turn–Off Time
EQUIVALENT SWITCHING TIME TEST CIRCUITS
*Total shunt capacitance of test jig and connectors
10 k
+3.0 V
275
C
S
< 4.0 pF*
10 k
+3.0 V
275
C
S
< 4.0 pF*
1N916
300 ns
DUTY CYCLE = 2%
– 0.5 V
10 < t
1
< 500
μ
s
DUTY CYCLE = 2%
+10.9 V
<1.0 ns
<1.0 ns
+10.9 V
t
1
– 9.1 V
0
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCWALT1 | General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| BCX22 | Small Signal Transistors |
| BCX24 | Small Signal Transistors |
| BCX39 | Small Signal Transistors |
| BCX94 | Small Signal Transistors |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCWDLT1 | 制造商:LRC 制造商全稱:Leshan Radio Company 功能描述:General Purpose Transistors(NPN Silicon) |
| BCWS/C26T3I | 制造商:EMERSON CONNECTIVITY SOLUTIONS 功能描述:TOOLS, CABLE STRIPPERS, Leaded Process Compatible:No, Peak Reflow Compatible (26 |
| BCX 41 | 制造商:Infineon Technologies 功能描述:Bulk |
| BCX 41 E6327 | 功能描述:TRANSISTOR SW AF NPN SOT-23 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> 晶體管(BJT) - 單路 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1 系列:- 晶體管類型:NPN 電流 - 集電極 (Ic)（最大）:1A 電壓 - 集電極發(fā)射極擊穿（最大）:30V Ib、Ic條件下的Vce飽和度（最大）:200mV @ 100mA，1A 電流 - 集電極截止（最大）:100nA 在某 Ic、Vce 時(shí)的最小直流電流增益 (hFE):300 @ 500mA，5V 功率 - 最大:710mW 頻率 - 轉(zhuǎn)換:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:Digi-Reel® 其它名稱:MMBT489LT1GOSDKR |
| BCX 41 E6433 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Silicon AF Switching Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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