參數(shù)資料
型號(hào)： BCW70LT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 通用晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁數(shù)： 1/4頁
文件大?。?/td> 38K
代理商： BCW70LT1
BCW69
BCW70
SMALL SIGNAL PNP TRANSISTORS
I
SILICON EPITAXIALPLANAR PNP
TRANSISTORS
I
MINIATUREPLASTIC PACKAGEFOR
APPLICATIONIN SURFACE MOUNTING
CIRCUITS
I
LOW LEVELAUDIO AMPLIFICATIONAND
SWITCHING
INTERNAL SCHEMATIC DIAGRAM
March 1996
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
Symbol
V
CES
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
I
CM
P
tot
T
stg
T
j
Parameter
Value
-50
-45
-50
-5
-0.1
-0.2
300
-65 to 150
150
Unit
V
V
V
V
A
A
mW
o
C
o
C
Collector-Emitter Voltage (V
BE
= 0)
Collector-Emitter Voltage (I
B
= 0)
Collector-Base Voltage (I
E
= 0)
Emitter-Base Voltage (I
C
= 0)
Collector Current
Collector Peak Current
Total Dissipation at T
c
= 25
o
C
Storage Temperature
Max. Operating Junction Temperature
1
2
3
SOT-23
Type
Marking
BCW69
H1
BCW70
H2
1/4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX52 SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
BCX52 SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BCX52-10-AG Wire-To-Board Connector; No. of Contacts:50; Pitch Spacing:0.05"; No. of Rows:2; Mounting Type:Header; Gender:Female; Leaded Process Compatible:No; Peak Reflow Compatible (260 C):No RoHS Compliant: No
BCX52-16-AM PC Board Connector; No. of Contacts:50; Pitch Spacing:0.05"; No. of Rows:2; Contact Termination:IDC; Gender:Female; Leaded Process Compatible:Yes; Peak Reflow Compatible (260 C):Yes RoHS Compliant: Yes
BCX52-AE SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW70LT1/D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistors
BCW70LT1D 制造商:ONSEMI 制造商全稱:ON Semiconductor 功能描述:General Purpose Transistor
BCW70LT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW70R 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANZYSTORY
BCW70RTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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