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參數(shù)資料
| 型號： | BCW70 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 進(jìn)步黨外延硅晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 2/4頁 |
| 文件大?。?/td> | 38K |
| 代理商： | BCW70 |
THERMAL DATA
R
thj-amb
Mountedon a ceramic substrate area = 10 x8 x 0.6mm
Thermal Resistance Junction-Ambient
Max
420
o
C/W
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
case
= 25
o
C unlessotherwise specified)
Symbol
Parameter
Test Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
I
CBO
Collector Cut-off
Current (I
E
= 0)
V
CB
= -20 V
V
CB
= -20 V
I
C
= -10
μ
A
T
j
= 100
o
C
-100
-10
nA
μ
A
V
V
(BR)CES
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(V
BE
= 0)
V
(BR)CEO
Collector-Emitter
Breakdown Voltage
(I
B
= 0)
V
(BR)CBO
Collector-Base
Breakdown Voltage
(I
E
= 0)
V
(BR)EBO
Emitter-Base
Breakdown Voltage
(I
C
= 0)
V
CE(sat)
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Collector-Base
Saturation Voltage
V
BE(on)
Base-Emitter On
Voltage
h
FE
DC Current Gain
-50
I
C
= -2 mA
-45
V
I
C
= -10
μ
A
-50
V
I
E
= -10
μ
A
-5
V
I
C
= -10 mA
I
C
= -50 mA
I
B
= -0.5 mA
I
B
= -2.5 mA
-0.18
-0.3
V
V
I
C
= -10 mA
I
C
= -50 mA
I
C
= -2 mA
I
B
= -0.5 mA
I
B
= -2.5 mA
V
CE
= -5 V
-0.72
-0.81
V
V
-0.6
-0.75
V
for
BCW69
I
C
= -10
μ
A
I
C
= -2 mA
for
BCW70
I
C
= -10
μ
A
I
C
= -2 mA
V
CE
= -5 V
V
CE
= -5 V
V
CE
= -5 V
V
CE
= -5 V
120
215
90
150
260
500
f
T
Transition Frequency
I
C
= -10 mA V
CE
= -5 V f = 100 MHz
I
E
= 0
V
CB
= -10 V
150
MHz
C
CB
Collector Base
Capacitance
Noise Figure
f = 1MHz
7
dB
NF
I
C
= -0.2mA
f = 200 Hz
V
CE
= -5 V
R
g
= 2K
f = 1KHz
10
dB
Pulsed: Pulse duration = 300
μ
s, duty cycle
≤
2 %
BCW69/BCW70
2/4
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCW70 | Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
| BCW70 | EPITAXIAL PLANAR PNP TRANSISTOR (GENERAL PURPOSE, SWITCHING) |
| BCW70LT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BCX52 | SOT89 PNP SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTORS |
| BCX52 | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCW70 T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW70,215 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW70,235 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BCW70 | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| BCW70/E8 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 45V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23 |
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