參數(shù)資料
型號(hào)： BCW66FR
廠商： ZETEX PLC
元件分類(lèi)： 小信號(hào)晶體管
英文描述： NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
中文描述： 800 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/2頁(yè)
文件大?。?/td> 39K
代理商： BCW66FR
SOT23 NPN SILICON PLANAR
MEDIUM POWER TRANSISTOR
ISSUE 4 - MARCH 2001
PARTMARKING DETAILS –
BCW66F –
EF
BCW66G –
EG
BCW66H –
EH
BCW66FR –
BCW66GR – 5T
BCW66HR – 7M
7P
COMPLEMENTARY TYPE – BCW68
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
SYMBOL
VALUE
UNIT
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
B
P
tot
T
j
:T
stg
75
V
Collector-Emitter Voltage
45
V
Emitter-Base Voltage
5
V
Continuous Collector Current
800
mA
Peak Collector Current(10ms)
1000
mA
Base Current
100
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
BCW66
C
B
E
SOT23
TBA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCW66G NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW66GR NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW66H NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW66HR NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR
BCW66 Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCW66FTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW66FTC 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW66FVL 功能描述:BCW66FSOT23TO-236AB 制造商:nexperia usa inc. 系列:汽車(chē)級(jí)，AEC-Q101 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 晶體管類(lèi)型:NPN 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:800mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:450mV @ 50mA，500mA 電流 - 集電極截止（最大值）:5μA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:100 @ 100mA，1V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:150°C（TJ） 安裝類(lèi)型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-236AB 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BCW66G 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 NPN GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCW66G/E8 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:BJT
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