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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BCV62C |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類(lèi)： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP general-purpose double transistors |
| 中文描述： | PNP 通用雙晶體管 |
| 封裝： | BCV62<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 2002,;BCV62<SOT143B (SOT143B)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT143B.html<1<week 49, 20 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/14頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 145K |
| 代理商： | BCV62C |
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BCV62
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NXP B.V. 2010. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 4 — 26 July 2010
6 of 14
NXP Semiconductors
BCV62
PNP general-purpose double transistors
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 5.
BCV62B: DC current gain as a function of
collector current; typical values
V
CE
=
5 V
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 6.
BCV62B: Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
= 150
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
=
55
°
C
Fig 7.
BCV62B: Collector-emitter saturation voltage
as a function of collector current; typical
values
I
C
/I
B
= 20
(1) T
amb
=
55
°
C
(2) T
amb
= 25
°
C
(3) T
amb
= 150
°
C
Fig 8.
BCV62B: Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values
mgt715
0
10
2
400
600
800
1000
h
FE
200
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
(1)
(2)
(3)
mgt716
0
1200
1000
800
600
400
200
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
BE
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt717
10
4
10
3
10
2
10
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
V
CEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
mgt718
10
1
1
10
10
2
10
3
I
C
(mA)
0
1200
1000
800
600
400
200
V
BEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BCV71 | NPN general purpose transistors |
| BCW60C | NPN general purpose transistors |
| BCW66H | NPN Small Signal Transistor 330mW |
| BCW68G | PNP Small Signal Transistor 330mW |
| BCW68H | PNP Small Signal Transistor 330mW |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BCV62C T/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 4-Pin(3+Tab) SOT-143B T/R |
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