參數(shù)資料
型號(hào)： BCP55
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
封裝： BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5
文件頁數(shù)： 6/15頁
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代理商： BCP55
BC637_BCP55_BCX55_7
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 25 June 2007
6 of 15
NXP Semiconductors
BC637; BCP55; BCX55
60 V, 1 A NPN medium power transistors
6.
Thermal characteristics
[1]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.
[2]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 1 cm
2
.
[3]
Device mounted on an FR4 PCB, single-sided copper, tin-plated, mounting pad for collector 6 cm
2
.
Table 7.
Symbol
R
th(j-a)
Thermal characteristics
Parameter
thermal resistance from
junction to ambient
BC637
BCP55
Conditions
in free air
Min
Typ
Max
Unit
[1]
-
-
-
-
-
-
-
150
195
130
250
145
100
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
K/W
[1]
-
[2]
-
BCX55
[1]
-
[2]
-
[3]
-
R
th(j-sp)
thermal resistance from
junction to solder point
BC637
BCP55
BCX55
-
-
-
-
-
-
40
17
30
K/W
K/W
K/W
FR4 PCB, standard footprint
Fig 4.
Transient thermal impedance from junction to ambient as a function of pulse duration for SOT54;
typical values
006aaa088
10
5
10
10
2
10
4
10
2
10
1
t
p
(s)
10
3
10
3
1
10
2
10
10
3
Z
th(j-a)
(K/W)
1
0
duty cycle =
1
0.75
0.5
0.33
0.2
0.1
0.05
0.02
0.01
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX55
BCX55-10
BCR5PM-12LG-A8 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
BCU81-SMD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
BCU83-SMD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP55 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223
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