參數(shù)資料
型號： BCP55
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
封裝： BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP55<SOT223 (SC-73)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT223.html<1<week 34, 2003,;BCP5
文件頁數(shù)： 13/15頁
文件大?。?/td> 153K
代理商： BCP55
BC637_BCP55_BCX55_7
NXP B.V. 2007. All rights reserved.
Product data sheet
Rev. 07 — 25 June 2007
13 of 15
NXP Semiconductors
BC637; BCP55; BCX55
60 V, 1 A NPN medium power transistors
10. Revision history
Table 10.
Document ID
BC637_BCP55_BCX55_7
Modifications:
Revision history
Release date
20070625
The format of this data sheet has been redesigned to comply with the new identity
guidelines of NXP Semiconductors.
Legal texts have been adapted to the new company name where appropriate.
Table 1 “Product overview”
: amended
Section 1.2 “Features”
: amended
Section 1.3 “Applications”
: amended
Table 2 “Quick reference data”
: I
C
parameter redefined to collector current
Table 2 “Quick reference data”
: I
CM
condition added
Figure 2
and
3
: amended
Table 6 “Limiting values”
: I
C
parameter redefined to collector current
Table 6 “Limiting values”
: I
CM
condition added
Table 6 “Limiting values”
: P
tot
values for BCP55 and BCX55 adapted
Table 7 “Thermal characteristics”
: R
th(j-a)
values for BCP55 and BCX55 rounded
Figure 4
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 4
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 5
: added
Figure 6
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 6
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 7
: added
Figure 8
: Z
th
redefined to Z
th(j-a)
transient thermal impedance from junction to ambient
Figure 8
: t
p
parameter redefined to pulse duration
Figure 9
: added
Figure 11
: amended
Table 9 “Packing methods”
: new packing method for BCX55 added
Section 11 “Legal information”
: updated
20050218
Product data sheet
Data sheet status
Product data sheet
Change notice
-
Supersedes
BC637_BCP55_BCX55_6
BC637_BCP55_BCX55_6
CPCN200405029
BC635_637_639_4
BCP54_55_56_5
BCX54_55_56_4
BC635_637_639_3
BCP54_55_56_4
BCX54_55_56_3
BC635_637_639_4
BCP54_55_56_5
BCX54_55_56_4
20011010
20030206
20011010
Product specification
Product specification
Product specification
-
-
-
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BCX55
BCX55-10
BCR5PM-12LG-A8 400 W Transient Voltage Suppressor, SOD123W (SOD2 FlatPower), Reel Pack, SMD
BCU81-SMD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
BCU83-SMD NPN EPITAXIAL PLANAR SILICON TRANSISTOR
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BCP55 /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS MED PWR TAPE13 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BCP55 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:TRANSISTOR NPN SOT-223
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進(jìn)入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*