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參數(shù)資料
| 型號： | BC858BLT1 |
| 廠商： | 樂山無線電股份有限公司 |
| 英文描述： | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| 中文描述： | 通用晶體管（民進黨硅） |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BC858BLT1 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
ISSUE 6 - JANUARY 1997
PARTMARKING DETAILS
COMPLEMENTARY TYPES
BC846AZ1A
BC848B1K
BC846
BC856
BC846B1B
BC848CZ1L
BC847
BC857
BC847AZ1E
BC849B2B
BC848
BC858
BC847B1F
BC849C2C
BC849
BC859
BC847C1GZ
BC850B2FZ
BC850
BC860
BC848A1JZ
BC850C-Z2G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
SYMBOL
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
tot
T
j
:T
stg
BC846
80
BC847
50
BC848
30
BC849
30
BC850
50
UNIT
V
Collector-Emitter Voltage
80
50
30
30
50
V
Collector-Emitter Voltage
65
45
30
30
45
V
Emitter-Base Voltage
6
5
V
Continuous Collector Current
100
mA
Peak Collector Current
200
mA
Peak Base Current
200
mA
Peak Emitter Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage
Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
BC846
Collector Cut-Off Current I
CBO
Max
Max
BC847
BC848
BC849
BC850
UNIT CONDITIONS.
nA
V
CB
= 30V
μ
A
V
CB
= 30V
T
amb
=150°C
mV
mV
I
B
=0.5mA
mV
mV
I
B
=5mA
mV
mV
15
5
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
Typ
Max.
90
250
I
C
=10mA,
Typ
Max.
200
600
I
C
=100mA,
Typ
Max.
300
600
I
C
=10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Typ
700
mV
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
I
C
=2mA
V
CE
=5V
Typ
900
mV
Base-Emitter Voltage
V
BE
Min
Typ
Max
580
660
700
mV
mV
mV
Max
770
mV
I
C
=10mA
V
CE
=5V
* Collector-Emitter Saturation Voltage at I
= 10mA for the characteristics going through the
operating point I
C
= 11mA, V
CE
= 1V at constant base current.
BC846 BC847
BC848 BC849
BC850
C
B
E
SOT23
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC858CLT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC858ALT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC858AWT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC858BWT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
| BC858CWT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC858BLT1G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BLT1G | 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor |
| BC858BLT3 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BLT3G | 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858BMTF | 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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