參數(shù)資料
型號(hào)： BC858CLT1
廠(chǎng)商： 樂(lè)山無(wú)線(xiàn)電股份有限公司
英文描述： General Purpose Transistors(PNP Silicon)
中文描述： 通用晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁(yè)數(shù)： 1/3頁(yè)
文件大小： 52K
代理商： BC858CLT1
SOT23 NPN SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
ISSUE 6 - JANUARY 1997
PARTMARKING DETAILS
COMPLEMENTARY TYPES
BC846AZ1A
BC848B1K
BC846
BC856
BC846B1B
BC848CZ1L
BC847
BC857
BC847AZ1E
BC849B2B
BC848
BC858
BC847B1F
BC849C2C
BC849
BC859
BC847C1GZ
BC850B2FZ
BC850
BC860
BC848A1JZ
BC850C-Z2G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
SYMBOL
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
tot
T
j
:T
stg
BC846
80
BC847
50
BC848
30
BC849
30
BC850
50
UNIT
V
Collector-Emitter Voltage
80
50
30
30
50
V
Collector-Emitter Voltage
65
45
30
30
45
V
Emitter-Base Voltage
6
5
V
Continuous Collector Current
100
mA
Peak Collector Current
200
mA
Peak Base Current
200
mA
Peak Emitter Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage
Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
BC846
Collector Cut-Off Current I
CBO
Max
Max
BC847
BC848
BC849
BC850
UNIT CONDITIONS.
nA
V
CB
= 30V
μ
A
V
CB
= 30V
T
amb
=150°C
mV
mV
I
B
=0.5mA
mV
mV
I
B
=5mA
mV
mV
15
5
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
Typ
Max.
90
250
I
C
=10mA,
Typ
Max.
200
600
I
C
=100mA,
Typ
Max.
300
600
I
C
=10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Typ
700
mV
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
I
C
=2mA
V
CE
=5V
Typ
900
mV
Base-Emitter Voltage
V
BE
Min
Typ
Max
580
660
700
mV
mV
mV
Max
770
mV
I
C
=10mA
V
CE
=5V
* Collector-Emitter Saturation Voltage at I
= 10mA for the characteristics going through the
operating point I
C
= 11mA, V
CE
= 1V at constant base current.
BC846 BC847
BC848 BC849
BC850
C
B
E
SOT23
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC858ALT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC858AWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC858BWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC858CWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC849B High Speed CMOS Logic Dual Monostable Multivibrators with Reset 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC858CLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858CLT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858CLT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 30V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858CMTF 功能描述:兩極晶體管 - BJT SOT-23 PNP GP AMP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC858CRTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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