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參數(shù)資料
| 型號： | BC858 |
| 廠商： | CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| 中文描述： | 30 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR |
| 封裝： | SOT-23, 3 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 1/3頁 |
| 文件大?。?/td> | 52K |
| 代理商： | BC858 |
SOT23 NPN SILICON PLANAR
GENERAL PURPOSE TRANSISTORS
ISSUE 6 - JANUARY 1997
PARTMARKING DETAILS
COMPLEMENTARY TYPES
BC846AZ1A
BC848B1K
BC846
BC856
BC846B1B
BC848CZ1L
BC847
BC857
BC847AZ1E
BC849B2B
BC848
BC858
BC847B1F
BC849C2C
BC849
BC859
BC847C1GZ
BC850B2FZ
BC850
BC860
BC848A1JZ
BC850C-Z2G
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.
PARAMETER
Collector-Base Voltage
SYMBOL
V
CBO
V
CES
V
CEO
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
I
EM
P
tot
T
j
:T
stg
BC846
80
BC847
50
BC848
30
BC849
30
BC850
50
UNIT
V
Collector-Emitter Voltage
80
50
30
30
50
V
Collector-Emitter Voltage
65
45
30
30
45
V
Emitter-Base Voltage
6
5
V
Continuous Collector Current
100
mA
Peak Collector Current
200
mA
Peak Base Current
200
mA
Peak Emitter Current
200
mA
Power Dissipation at T
amb
=25°C
Operating and Storage
Temperature Range
330
mW
-55 to +150
°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T
amb
= 25°C unless otherwise stated).
PARAMETER
SYMBOL
BC846
Collector Cut-Off Current I
CBO
Max
Max
BC847
BC848
BC849
BC850
UNIT CONDITIONS.
nA
V
CB
= 30V
μ
A
V
CB
= 30V
T
amb
=150°C
mV
mV
I
B
=0.5mA
mV
mV
I
B
=5mA
mV
mV
15
5
Collector-Emitter
Saturation Voltage
V
CE(sat)
Typ
Max.
90
250
I
C
=10mA,
Typ
Max.
200
600
I
C
=100mA,
Typ
Max.
300
600
I
C
=10mA*
Base-Emitter
Saturation Voltage
V
BE(sat)
Typ
700
mV
I
C
=10mA,
I
B
=0.5mA
I
C
=100mA,
I
B
=5mA
I
C
=2mA
V
CE
=5V
Typ
900
mV
Base-Emitter Voltage
V
BE
Min
Typ
Max
580
660
700
mV
mV
mV
Max
770
mV
I
C
=10mA
V
CE
=5V
* Collector-Emitter Saturation Voltage at I
= 10mA for the characteristics going through the
operating point I
C
= 11mA, V
CE
= 1V at constant base current.
BC846 BC847
BC848 BC849
BC850
C
B
E
SOT23
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC858A | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC858B | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC858C | SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR |
| BC858 | SOT23 NPN SILICON PLANAR |
| BC858BLT1 | General Purpose Transistors(PNP Silicon) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC858A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor 200mW RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC858A _R1 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
| BC858A RF | 制造商:SKMI/Taiwan 功能描述:Trans GP BJT PNP 30V 0.1A 3-Pin SOT-23 |
| BC858A RFG | 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -30V, -0.1A, 12 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:30V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:125 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 |
| BC858A_ R2 _00001 | 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述: |
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