參數(shù)資料
型號(hào)： BC857BLT1
廠商： 樂山無線電股份有限公司
英文描述： High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
中文描述： 通用晶體管（民進(jìn)黨硅）
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 25K
代理商： BC857BLT1
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857ALT1 High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
BC857AWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857BWT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857T PNP general purpose transistor(PNP通用型晶體管)
BC856T PNP general purpose transistors
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC857BLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
BC857BLT3 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BLT3G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 50V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857BLT3G ONS 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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