參數(shù)資料
型號： BC857B
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
中文描述： 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC PACKAGE-3
文件頁數(shù)： 1/1頁
文件大?。?/td> 25K
代理商： BC857B
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857C SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC857 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC857BRLT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
BC857BLT1 High Speed CMOS Logic Octal Positive-Edge Triggered D-Type Flip-Flops with 3-State Outputs 20-SOIC -55 to 125
BC857ALT1 High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC857B /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857B _R1 _00001 制造商:PanJit Touch Screens 功能描述:
BC857B RFG 功能描述:TRANSISTOR, PNP, -45V, -0.1A, 22 制造商:taiwan semiconductor corporation 系列:- 包裝:帶卷（TR） 零件狀態(tài):在售 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:45V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:100nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:200mW 頻率 - 躍遷:100MHz 工作溫度:-55°C ~ 150°C（TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應商器件封裝:SOT-23 標準包裝:3,000
BC857B,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP GP 100MA 45V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857B,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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