參數(shù)資料
型號(hào)： BC857
廠商： CENTRAL SEMICONDUCTOR CORP
元件分類： 小信號(hào)晶體管
英文描述： SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
中文描述： 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： SOT-23, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 1/1頁(yè)
文件大小： 25K
代理商： BC857
(SPEC-A32)
607
Transistors
BC857B
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857A SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC857B SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC857C SURFACE MOUNT PNP SILICON TRANSISTOR
BC857 SOT23 NPN SILICON PLANAR
BC857BRLT1 General Purpose Transistors(PNP Silicon)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC857 T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857,215 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857,235 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC857 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23
BC857.215 制造商:PHILIPS 制造商全稱:NXP Semiconductors 功能描述:PNP general purpose transistors
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