參數(shù)資料
型號： BC856W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： BC856AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BC856AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 157K
代理商： BC856W
2002 Feb 04
5
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856W; BC857W; BC858W
handbook, halfpage
hFE
0
200
300
400
100
MGT711
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.2
DC current gain as a function of collector
current; typical values.
BC857AW;
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
0
1000
800
600
400
200
MGT712
10
2
10
1
1
10
10
2
10
3
IC (mA)
(1)
(2)
(3)
Fig.3
Base-emitter voltage as a function of
collector current; typical values.
BC857AW;
V
CE
=
5 V.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
handbook, halfpage
4
10
3
10
2
10
10
1
MGT713
1
10
10
2
10
3
IC (mA)
VCEsat
(mV)
(1)
(2)
(3)
Fig.4
Collector-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857AW;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
= 150
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
=
55
°
C.
handbook, halfpage
(mV)
MGT714
10
1
1
10
10
2
10
3
IC (mA)
0
1000
800
600
400
200
(1)
(2)
(3)
Fig.5
Base-emitter saturation voltage as a
function of collector current; typical values.
BC857AW;
I
C
/I
B
= 20.
(1) T
amb
=
55
°
C.
(2) T
amb
= 25
°
C.
(3) T
amb
= 150
°
C.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857W PNP general purpose transistors
BC856 General Purpose Transistor PNP Silicon(-65V通用型硅PNP晶體管)
BC856 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
BC857 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
BC858 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W/ZLX 功能描述:TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000
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