參數(shù)資料
型號： BC856W
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： BC856AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;BC856AW<SOT323 (SC-70)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT323.html<1<week 30, 2003,;
文件頁數(shù)： 4/10頁
文件大小： 157K
代理商： BC856W
2002 Feb 04
4
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856W; BC857W; BC858W
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C; unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ
≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
V
CB
=
30 V; I
E
= 0
V
CB
=
30 V; I
E
= 0;
T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
MIN.
TYP.
1
MAX.
15
4
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current
nA
μ
A
I
EBO
h
FE
emitter-base cut-off current
DC current gain
BC856W
BC857W; BC858W
BC856AW; BC857AW
BC856BW; BC857BW
BC857CW
collector-emitter saturation voltage
100
nA
125
125
125
220
420
75
250
475
800
250
475
800
300
600
V
CEsat
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA;
note 1
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA;
note 1
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
V
CB
=
10 V; I
E
= I
e
= 0;
f = 1 MHz
V
EB
=
0.5 V; I
C
= I
c
= 0;
f = 1 MHz
V
CE
=
5 V; I
C
=
10 mA;
f = 100 MHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V;
R
S
= 2 k
Ω
; f = 1 kHz;
B = 200 Hz
mV
mV
V
BEsat
base-emitter saturation voltage
700
850
mV
mV
V
BE
base-emitter voltage
600
650
750
820
3
mV
mV
pF
C
c
collector capacitance
C
e
emitter capacitance
12
pF
f
T
transition frequency
100
MHz
F
noise figure
10
dB
相關PDF資料
PDF描述
BC857W PNP general purpose transistors
BC856 General Purpose Transistor PNP Silicon(-65V通用型硅PNP晶體管)
BC856 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
BC857 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
BC858 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BC856W /T3 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W,135 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-11 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856W/ZLX 功能描述:TRANSISTOR 制造商:nxp usa inc. 系列:* 零件狀態(tài):停產(chǎn) 標準包裝:3,000
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