參數(shù)資料
型號： BC856BT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： BC856AT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,;BC856BT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,;
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代理商： BC856BT
2000 Nov 15
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856T; BC857T series
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ
≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
833
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
15
5
100
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current V
CB
=
30 V; I
E
= 0
nA
μ
A
nA
V
CB
=
30 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
2 mA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC856AT; BC857AT
BC856BT; BC857BT
BC857CT
collector-emitter saturation
voltage
125
220
420
580
100
10
250
475
800
200
400
700
770
2.5
V
CEsat
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA; note 1
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
V
CB
=
10 V; f = 1 MHz; I
E
= i
e
= 0
V
EB
=
0.5 V; f = 1 MHz; I
C
= i
c
= 0
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V;
R
S
= 2 k
Ω
; f = 1 kHz; B = 200 Hz
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
V
BE
base-emitter voltage
C
c
C
e
f
T
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
F
noise figure
10
dB
相關PDF資料
PDF描述
BC856UF PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC856W PNP general purpose transistors
BC857W PNP general purpose transistors
BC856 General Purpose Transistor PNP Silicon(-65V通用型硅PNP晶體管)
BC856 Small Signal Transistors (PNP)(小信號晶體管（PNP）)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
BC856BT T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BT TR 功能描述:TRANS PNP 80V SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應商器件封裝:SOT-523 標準包裝:1
BC856BT,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BT115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BC856BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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