參數(shù)資料
型號(hào)： BC856BT
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 功率晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： PNP通用型晶體管
封裝： BC856AT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,;BC856BT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,;
文件頁(yè)數(shù)： 2/9頁(yè)
文件大小： 147K
代理商： BC856BT
2000 Nov 15
2
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856T; BC857T
series
FEATURES
Low current (max. 100 mA)
Low voltage (max. 65 V).
APPLICATIONS
General purpose switching and amplification, especially
in portable equipment.
DESCRIPTION
PNP transistor in an SC-75 (SOT416) plastic package.
NPN complements: BC846T; BC847T series.
MARKING
PINNING
TYPE NUMBER
MARKING CODE
BC856AT
BC856BT
BC857AT
BC857BT
BC857CT
3A
3B
3E
3F
3G
PIN
DESCRIPTION
1
2
3
base
emitter
collector
handbook, halfpage
MAM362
1
2
3
Top view
1
2
3
Fig.1
Simplified outline (SC-75; SOT416) and
symbol.
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC856AT; BC856BT
BC857AT; BC857BT; BC857CT
collector-emitter voltage
BC856AT; BC856BT
BC857AT; BC857BT; BC857CT
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
80
50
V
V
V
CEO
open base
65
65
65
45
5
100
200
100
150
+150
150
+150
V
V
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC856UF PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application)
BC856W PNP general purpose transistors
BC857W PNP general purpose transistors
BC856 General Purpose Transistor PNP Silicon(-65V通用型硅PNP晶體管)
BC856 Small Signal Transistors (PNP)(小信號(hào)晶體管（PNP）)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856BT T/R 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BT TR 功能描述:TRANS PNP 80V SOT523 制造商:central semiconductor corp 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時(shí)的?Vce 飽和值（最大值）:400mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時(shí)的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-523 供應(yīng)商器件封裝:SOT-523 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BC856BT,115 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BT115 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
BC856BTA 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
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