參數(shù)資料
型號： BC856BF
廠商： NXP SEMICONDUCTORS
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： PNP general purpose transistors
中文描述： 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
封裝： PLASTIC, SC-89, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/8頁
文件大小： 40K
代理商： BC856BF
1999 May 21
3
Philips Semiconductors
Preliminary specification
PNP general purpose transistors
BC856F; BC857F; BC858F series
LIMITING VALUES
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 134).
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
MAX.
UNIT
V
CBO
collector-base voltage
BC856AF; BC856BF
BC857AF; BC857BF; BC857CF
BC858AF; BC858BF; BC858CF
collector-emitter voltage
BC856AF; BC856BF
BC857AF; BC857BF; BC857CF
BC858AF; BC858BF; BC858CF
emitter-base voltage
collector current (DC)
peak collector current
peak base current
total power dissipation
storage temperature
junction temperature
operating ambient temperature
open emitter
80
50
30
V
V
V
V
CEO
open base
65
65
65
45
30
5
100
200
100
250
+150
150
+150
V
EBO
I
C
I
CM
I
BM
P
tot
T
stg
T
j
T
amb
open collector
V
mA
mA
mA
mW
°
C
°
C
°
C
T
amb
≤
25
°
C; note 1
相關(guān)PDF資料
PDF描述
BC857AF High Speed CMOS Logic Hex Buffer/Line Driver with Non-Inverting 3-State Outputs 16-SOIC -55 to 125
BC857F High Speed CMOS Logic 8-Stage Synchronous Down Counters 16-SOIC -55 to 125
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BC856F High Speed CMOS Logic Quad Two-Input OR Gates 14-SOIC -55 to 125
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
BC856B-HF 功能描述:TRANS PNP 65V 100A SOT23 制造商:comchip technology 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):新產(chǎn)品 晶體管類型:PNP 電流 - 集電極（Ic）（最大值）:100mA 電壓 - 集射極擊穿（最大值）:65V 不同?Ib，Ic 時的?Vce 飽和值（最大值）:650mV @ 5mA，100mA 電流 - 集電極截止（最大值）:15nA（ICBO） 不同?Ic，Vce?時的 DC 電流增益（hFE）（最小值）:220 @ 2.2mA，5V 功率 - 最大值:250mW 頻率 - 躍遷:100MHz 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商器件封裝:SOT-23 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
BC856BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:TRANSISTOR | BJT | PNP | 65V V(BR)CEO | 100MA I(C) | SOT-23
BC856BLT1 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BLT1G 功能描述:兩極晶體管 - BJT 100mA 80V PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
BC856BLT1G 制造商:ON Semiconductor 功能描述:Bipolar Transistor
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