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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | BC856AT |
| 廠商： | NXP Semiconductors N.V. |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | PNP general purpose transistors |
| 中文描述： | PNP通用型晶體管 |
| 封裝： | BC856AT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,;BC856BT<SOT416 (SC-75)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT416.html<1<week 17, 2003,; |
| 文件頁數(shù)： | 3/9頁 |
| 文件大?。?/td> | 147K |
| 代理商： | BC856AT |
2000 Nov 15
3
NXP Semiconductors
Product data sheet
PNP general purpose transistors
BC856T; BC857T series
THERMAL CHARACTERISTICS
Note
1.
Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board.
CHARACTERISTICS
T
amb
= 25
°
C unless otherwise specified.
Note
1.
Pulse test: t
p
≤
300
μ
s;
δ
≤
0.02.
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
VALUE
UNIT
R
th j-a
thermal resistance from junction to ambient
in free air; note 1
833
K/W
SYMBOL
PARAMETER
CONDITIONS
MIN.
TYP.
MAX.
15
5
100
UNIT
I
CBO
collector-base cut-off current V
CB
=
30 V; I
E
= 0
nA
μ
A
nA
V
CB
=
30 V; I
E
= 0; T
j
= 150
°
C
V
EB
=
5 V; I
C
= 0
V
CE
=
5 V; I
C
=
2 mA
I
EBO
h
FE
emitter cut-off current
DC current gain
BC856AT; BC857AT
BC856BT; BC857BT
BC857CT
collector-emitter saturation
voltage
125
220
420
580
100
10
250
475
800
200
400
700
770
2.5
V
CEsat
I
C
=
10 mA; I
B
=
0.5 mA
I
C
=
100 mA; I
B
=
5 mA; note 1
I
C
=
2 mA; V
CE
=
5 V
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V
V
CB
=
10 V; f = 1 MHz; I
E
= i
e
= 0
V
EB
=
0.5 V; f = 1 MHz; I
C
= i
c
= 0
I
C
=
10 mA; V
CE
=
5 V;
f = 100 MHz
I
C
=
200
μ
A; V
CE
=
5 V;
R
S
= 2 k
Ω
; f = 1 kHz; B = 200 Hz
mV
mV
mV
mV
pF
pF
MHz
V
BE
base-emitter voltage
C
c
C
e
f
T
collector capacitance
emitter capacitance
transition frequency
F
noise figure
10
dB
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| BC856BT | PNP general purpose transistors |
| BC856UF | PNP Silicon Transistor (General purpose application Switching application) |
| BC856W | PNP general purpose transistors |
| BC857W | PNP general purpose transistors |
| BC856 | General Purpose Transistor PNP Silicon(-65V通用型硅PNP晶體管) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| BC856A-T | 功能描述:兩極晶體管 - BJT Transistor PNP RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856AT T/R | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856AT,115 | 功能描述:兩極晶體管 - BJT TRANS GP TAPE-7 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| BC856AT/R | 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB |
| BC856ATA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT - RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
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